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Silizium-Halbleitertechnologie

Grundlagen mikroelektronischer Integrationstechnik
Verfasser*in: Suche nach Verfasser*in Hilleringmann, Ulrich
Verfasser*innenangabe: Ulrich Hilleringmann
Jahr: 2014
Verlag: Wiesbaden, Springer Vieweg
Mediengruppe: Buch
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Inhalt

 
 
Grundlage der mikroelektronischen Integrationstechnik ist die Silizium-Halbleitertechnologie. Sie setzt sich aus einer Vielzahl von sich wiederholenden Einzelprozessen zusammen, deren Durchführung und apparative Ausstattung extremen Anforderungen genügen müssen, um die geforderten Strukturgrößen bis zu wenigen 10 nm gleichmäßig und reproduzierbar zu erzeugen. Das Zusammenspiel der Oxidationen, Ätzschritte und Implantationen zur Herstellung von MOS- und Bipolarschaltungen werden - ausgehend vom Rohsilizium bis zur gekapselten integrierten Schaltung - aus Sicht des Anwenders erläutert. Das Lehrbuch behandelt neben den Grundlagen auch die technische Durchführung der Einzelprozesse zur Integrationstechnik.
 
 
Aus dem Inhalt:
 
Herstellung von Siliziumscheiben - Oxidation des dotierten Siliziums - Lithografie - Ätztechnik - Dotiertechniken - Depositionsverfahren - Metallisierung und Kontakte - Scheibenreinigung - MOS-Technologien zur Schaltungsintegration - Erweiterungen zur Höchstintegration - Bipolar-Technologie - Montage integrierter Schaltungen
 
Zielgruppen:
 
Studierende der Fachrichtungen Elektronik, Elektrotechnik, Informatik und Physik
Prozessingenieure aus der Halbleiterfertigung, Mikrotechnologen und Schaltungsentwickler
 
Die Autoren / Herausgeber:
 
Prof. Dr.-Ing. Ulrich Hilleringmann ist Leiter des Fachgebietes Sensorik an der Universität Paderborn und lehrt Halbleitertechnologie, Messtechnik, Sensorik und Prozessmesstechnik.
 
-> (Verlagsinformation) / Detailliertes Inhaltsverzeichnis siehe unten angeführten Link
 
 
 
 

Details

Verfasser*in: Suche nach Verfasser*in Hilleringmann, Ulrich
Verfasser*innenangabe: Ulrich Hilleringmann
Jahr: 2014
Verlag: Wiesbaden, Springer Vieweg
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Systematik: Suche nach dieser Systematik NT.EE
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ISBN: 978-3-8348-1335-0
2. ISBN: 3-8348-1335-4
Beschreibung: 6., korrigierte und verb. Aufl., XI, 263 S : Ill., graph. Darst
Schlagwörter: Halbleitertechnologie, Lehrbuch, Silicium, Silizium
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Fußnote: Literaturangaben
Mediengruppe: Buch